Vôn:0-50kV
Độ phân giải:125-140 eV FWHM ở mức 5,9 keV
Phạm vi năng lượng tối ưu:1 đến 25 keV
Rò rỉ tia X:<0,2 CẦU / h
Điện áp X-Ray:0-50 kV
Loại đầu dò:Si-PIN
Độ phân giải:139 đến 260 eV FWHM ở mức 5.9 keV
Phạm vi năng lượng:1,5 đến 25 keV
Loại đầu dò:Silicon Drift Diode
Độ phân giải:125-140 eV FWHM ở 5.9 keV
Phân tích các yếu tố::Na ~ U
Thời gian phân tích:60 đến 400 giây
Cung cấp điện:AC220V / 50Hz
Công suất tối đa:330W
Loại đầu dò:Si-PIN
Độ phân giải:139 đến 260 eV FWHM ở mức 5.9 keV
Loại đầu dò:Si-PIN
Phân tích các yếu tố:Na ~ U
Thời gian phân tích:60 đến 400 giây
Nhiệt độ hoạt động:15-30 ℃
Kích thước:380 mm x 510mm x 365 mm
Kích thước khoang mẫu:360mm × 330 mm × 50 mm
Trọng lượng:33,5kg
Nhiệt độ hoạt động:15-30 ℃
Loại đầu dò:SDD
Nhiệt độ hoạt động:15-30 ℃
Phân tích các yếu tố::Na ~ U
Rò rỉ tia X:<0,2µSv / h
Kích thước:380 mm x 510mm x 365 mm
Kích thước khoang mẫu:360mm × 330 mm × 50 mm
Cung cấp điện:AC220V / 50Hz
Độ ẩm tương đối:≤85% không ngưng tụ
Kích thước:380 mm x 510mm x 365 mm
Kích thước khoang mẫu:360mm × 330 mm × 50 mm
Cung cấp điện:AC220V / 50Hz
Công suất tối đa:330W
| Địa chỉ nhà máy:Tòa nhà A, Khu công nghiệp Bangkai Science & Technology, Số 9 Bangkai Road, Khu công nghiệp công nghệ cao, Quận Guangming mới, Thâm Quyến | |
| Văn phòng bán hàng:Tòa nhà A, Khu công nghiệp Bangkai Science & Technology, Số 9 Bangkai Road, Khu công nghiệp công nghệ cao, Quận Guangming mới, Thâm Quyến | |
| +86-755-8527-1589 | |
| marketing@unicomp.cn | |
